[发明专利]含Al氮化物半导体结构、器件及制备方法在审
| 申请号： | 202011405574.9 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112490116A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;袁根如;马艳红;张楠;陈朋 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/20;H01L29/778;H01L31/0304;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种含Al氮化物半导体结构、器件及制备方法，包括在衬底中心区域上形成缓冲层，在衬底边缘区域留有空白区域，基于含Al氮化物层和衬底之间的较大的晶格失配，易形成多晶材料，可充分释放生长含Al氮化物层的应力，降低裂纹向中心区域的含Al氮化物层延伸的概率；缓冲层表面的缓冲层岛状结构，可进一步的释放缓冲层上生长含Al氮化物层的应力，以及有利于含Al氮化物层外延并生长出高质量的含Al氮化物层；在将缓冲层进行图形化后，外延生长含Al氮化物层时可进行侧向生长，从而可进一步提高含Al氮化物层的晶体质量。本发明可解决含Al氮化物层的裂纹问题，且可提高晶体质量，提高产品性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | al 氮化物 半导体 结构 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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