[发明专利]单晶生长设备及单晶生长方法在审
| 申请号： | 202011408811.7 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN114606564A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 郭鸿震 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上海）自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶生长设备及方法。设备包括炉体、坩埚、旋转基座、驱动装置、内衬管及基座环；炉体底部设置有底座，坩埚位于炉体内，旋转基座与坩埚的底部相连接，并向下穿过底座直至延伸到炉体外部，内衬管位于旋转基座与底座之间且套设于旋转基座的外围；驱动装置与旋转基座相连接，用于驱动旋转基座旋转；基座环位于炉体内，且套设于旋转基座的周向，基座环自内衬管的表面向外延伸到底座上，且基座环与内衬管为可拆卸连接。本发明可以避免坩埚内的多晶硅料溢出和加热器上的片状物掉落至间隙内造成旋转基座的磨损以及因内衬管的堵塞造成旋转基座无法正常旋转等问题，有助于提高单晶生长设备的稳定性和使用寿命，提高单晶生长品质。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 设备 方法 | ||
【主权项】：
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