[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202011410603.0 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN113192953A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 陈维宁;蔡邦彦;奥野泰利 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请的实施例公开了一种用于减少半导体器件的异质外延界面中的应力引起的缺陷的方法。该方法包括：形成具有鳍部基底的鳍部结构、位于鳍部基底上的超晶格结构；形成位于鳍部结构上的多晶硅栅极结构；形成位于鳍部结构的未由多晶硅栅极结构覆盖的部分内的源极/漏极(S/D)开口；修改第一层的第一表面以弯曲第一表面的轮廓；沉积分别位于第一表面、第二表面、和第三表面上的第一钝化层、第二钝化层、和第三钝化层；形成位于源极/漏极开口内的外延源极/漏极区；以及用金属栅极结构替代多晶硅栅极结构。超晶格结构包括分别具有第一晶格常数和第二晶格常数的第一层和第二层，并且第一晶格常数和第二晶格常数彼此不同。本申请的实施例另一方面提供一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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