[发明专利]一种单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备方法有效
| 申请号： | 202011411368.9 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112695385B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 张忻;周宁;张伟;肖怡新;刘维康;刘燕琴 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B33/10;C30B29/10;B23K26/36;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备方法，该方法将激光加工与机械循环电化学腐蚀相结合，先利用激光直写加工或激光扫描振镜加工对阵列结构进行粗加工，高效获得阵列结构的雏形，后利用机械循环电化学腐蚀方法去除表面激光加工变质层的同时，对雏形进行高质量表面处理进而使尖锥曲率半径减小，最终制得形貌均匀、尖锥曲率半径小、表面质量优的阴极发射体阵列结构。本发明将激光加工技术和机械循环电化学腐蚀方法有机复合到单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备中，充分结合激光、机械和电化学技术的优点，实现对单晶稀土六硼化物表面阵列结构的高效率、高表面质量以及更小尖锥曲率半径的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 六硼化物 阴极 发射 阵列 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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