[发明专利]一种三氧化钨气敏薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202011412747.X | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112557460A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘皓;徐瑶华;张晓;赵文瑞;明安杰 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业专利中心 11028 | 代理人： | 范威 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高灵敏度三氧化钨气敏薄膜的制备方法，涉及气敏薄膜制备技术领域。本发明将带有氧化层的硅基片置于氟化铵、氢氟酸及去离子水的混合溶液中静置一段时间，之后再采用射频掠射角磁控溅射在处理后的硅基片表面沉积三氧化钨薄膜并进行热处理。本发明能够提高在硅基体上沉积的三氧化钨气敏薄膜对二氧化氮的灵敏度，且制备工艺简单，与目前微型气体传感器的制备工艺兼容性高，便于实现硅基集成，适合于工业大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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