[发明专利]缩小嵌入式闪存控制栅多晶硅刻蚀关键尺寸的方法、终端和存储介质

摘要

本发明公开了一种缩小嵌入式闪存控制栅多晶硅刻蚀关键尺寸的方法，包括：在控制栅多晶硅上沉积硬掩膜；在硬掩膜上旋涂光刻胶，通过第一光罩曝光形成第一光刻图形，将第一光刻图形转移到硬掩膜,并去除光刻胶；在硬掩膜上旋涂光刻胶，使光刻胶和硬掩膜在Z字形控制栅多晶硅直边两侧竖直方向形成不同的错层结构，通过第二光罩曝光形成第二光刻图形，将第二光刻图形与硬掩膜交叠图形转移到控制栅多晶硅；去除光刻胶及硬掩膜，获得控制栅多晶硅刻蚀图形。