[发明专利]NOR Flash的工艺方法

摘要

本发明公开了一种NOR Flash的工艺方法：第一步，划分NOR Flash的存储单元区域以及外围区域，分别制作各个隔离阱，形成阈值电压调节注入层，并淀积形成存储单元区域多晶硅以及外围区域多晶硅；第二步，通过掩膜版定义刻蚀打开存储单元区域多晶硅的窗口，将存储单元区域多晶硅暴露；第三步，对打开的存储单元区域多晶硅的窗口内的存储单元区域多晶硅进行回刻蚀，然后去除光刻胶；第四步，在衬底整体表面淀积层间介质。本发明在淀积层间介质之前先对存储单元区域的多晶硅进行一次回刻蚀，降低存储器单元多晶硅厚度，减少了存储器单元多晶硅与外围区域多晶硅之间的高度差，层间介质淀积过程中避免了空洞的形成，也提高了存储器单元多晶硅区域的接触孔填充能力。