[发明专利]一种半导体辐射电池在审
| 申请号： | 202011416015.8 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112489848A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;贾玉萍;孙晓娟;蒋科;陈洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体辐射电池主要包括：依次形成于衬底上的半导体转换层、石墨烯上电极、以及形成于衬底下方的金属下电极。利用石墨烯小原子序数的特点，突破传统Beta辐射电池中金属上电极对Beta粒子的沉积作用而导致的电池转换效率降低的弊端。实现一种Beta电子高透过率电极，同时结合石墨烯的高载流子迁移率，增强辐射产生电子‑空穴对的分离，进一步提高电池的转换效率，实现高效半导体辐射电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 辐射 电池 | ||
【主权项】：
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