[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202011416151.7 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN113178417A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 林士尧;高魁佑;林志翰;张铭庆;陈昭成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种方法，包括：在半导体区域之上沉积虚设栅极电介质层；沉积虚设栅极电极层；以及执行第一蚀刻工艺。蚀刻虚设栅极电极层的上部以形成虚设栅极电极的上部。方法还包括在虚设栅极电极的上部的侧壁上形成保护层，并且执行第二蚀刻工艺。蚀刻虚设栅极电极层的下部以形成虚设栅极电极的下部。然后使用保护层作为蚀刻掩模来执行第三蚀刻工艺以蚀刻虚设栅极电极的下部。虚设栅极电极通过第三蚀刻工艺而呈锥形。移除保护层，并且利用替换栅极电极来替换虚设栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
