[发明专利]原子层蚀刻方法在审
| 申请号： | 202011416533.X | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN113013031A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 权俊爀;全镇晟;朴相俊;赵炳哲;陈光善 | 申请（专利权）人： | 圆益IPS股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国京畿道平*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及利用原子层蚀刻装置蚀刻基板表面的原子层蚀刻方法。本发明公开了一种原子层蚀刻方法，包括：基板准备步骤(S10)，在基板支撑架上准备基板(100)；改性步骤(S20)，在基板准备步骤(S10)之后，将包含除了HF以外的卤素气体的改性气体通过结合于工艺腔室的远程等离子体发生装置自由基化来供应到基板(100)上，进而改性基板(100)的表面层(110)；第一吹扫步骤(S30)，用于吹扫表面层；表面层去除步骤(S40)，将包含金属的前体供应到表面层(110)以去除在改性步骤(S20)中改性的表面层(110)；第二吹扫步骤(S50)，吹扫基板(100)的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
