[发明专利]衬底加工方法及利用该方法加工的衬底在审
申请号: | 202011418262.1 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN112635309A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 李瑞评;曾柏翔;张佳浩;杨良 | 申请(专利权)人: | 福建晶安光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/428;B23K26/53;C09D163/10;C09D175/14;C09D167/06;C09D4/06;C09D4/02;C09D171/02;C09D171/08;C09D7/63;C09D5/20 |
代理公司: | 北京金咨知识产权代理有限公司 11612 | 代理人: | 宋教花 |
地址: | 362411 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供一种衬底加工方法及利用该方法加工的衬底,所述衬底加工方法包括以下步骤:对衬底进行线切割处理,得到预定厚度的衬底;在切割得到的衬底进行甩胶处理,以在衬底表面形成一层平坦膜;在所述平坦膜固化后通过聚焦激光二维扫描所述经切割衬底来在所述经切割的衬底的预定深度位置产生破坏层;基于所述破坏层对衬底进行剥片处理;对剥片处理后的衬底进行抛光处理。本发明的衬底加工方法及利用该方法加工的衬底,能够大幅度的降低机械加工的过程,由此降低衬底的应力分布,提高衬底的质量,并降低衬底加工成本。 | ||
搜索关键词: | 衬底 加工 方法 利用 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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