[发明专利]一种绝缘体上应变硅/锗晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011419152.7 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112635325A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 亨利·H·阿达姆松;王桂磊;孔真真;罗雪;王云;薛静;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 510535 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘体上应变硅/锗晶体管及其制备方法。制备方法：在半导体衬底上先制作栅极后形成应变引入层，或者先形成应变引入层后制作栅极。先制作栅极后形成应变引入层的方法是：在半导体衬底的顶层硅或顶层锗上制作栅极；在栅极两侧的顶层硅或顶层锗上分别形成应变引入层；去除应变引入层，对栅极两侧的顶层硅或顶层锗进行掺杂，形成源漏极。先形成应变引入层后制作栅极的方法是：在半导体衬底的顶层硅或顶层锗上形成应变引入层、进行退火处理，去除应变引入层；之后在半导体衬底的顶层硅或顶层锗上形成栅极，并对栅极两侧的顶层硅或顶层锗进行掺杂，形成源漏极。本发明在制备栅极后或之前引入不同方式的应变，提高了沟道迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 应变 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，未经广东省大湾区集成电路与系统应用研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011419152.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
