[发明专利]外延结构的转移方法有效
| 申请号： | 202011419314.7 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112967992B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 王涛 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种外延结构的转移方法。该转移方法包括以下步骤：提供表面具有外延结构的第一衬底和第二衬底，通过第一胶层将第一衬底与第二衬底粘接键合，外延结构位于第一衬底靠近第二衬底的一侧，去除第一衬底；提供第三衬底，通过第二胶层将第二衬底与第三衬底粘接键合，外延结构位于第二衬底靠近第三衬底的一侧；去除第二衬底和第一胶层，以将外延结构转移至第三衬底上。本发明的上述转移方法提高了转移后的外延结构表面的良率，使外延结构表面的面积完整良率能够达到92％以上，从而提高了晶片表面平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 结构 转移 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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