[发明专利]一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备有效
申请号: | 202011419640.8 | 申请日: | 2020-12-06 |
公开(公告)号: | CN113186511B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 马君健;王晓莹;徐宏;吴振华;周德金;钟磊 | 申请(专利权)人: | 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院;江南大学 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/448;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/46 |
代理公司: | 北京智宇正信知识产权代理事务所(普通合伙) 11876 | 代理人: | 于理科 |
地址: | 214100 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备,具体涉及氮化镓生产技术领域,包括支腿和外壳体,所述外壳体底端的四个拐角处固定连接有支腿,所述外壳体的内部设置有内壳体,所述外壳体一端四个拐角处的内部设置有卡槽,所述外壳体的一端设置有盖板,所述盖板一端的四个拐角处固定连接有圆块,所述盖板的另一端固定连接有把手,所述外壳体的内壁固定连接有电热丝。本发明通过设置有固定柱、套筒、凸块、轴套、放置板和放置槽,将镓源放进放置槽中,因放置槽设置有若干个,放置板为圆形,可放置多个镓源,利用放置槽中设置有加热片,可对镓源进行加热,在反应结束后,可利用凸块将套接在固定柱上的套筒取下,使其便于拿取更换新的镓源。 | ||
搜索关键词: | 一种 量产 氮化 立式 hpve 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院;江南大学,未经无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院;江南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011419640.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的