[发明专利]一种促进泥炭藓假根生长的方法有效
| 申请号： | 202011420488.5 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112385546B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李超;孙翔;付一笛 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 徐冬涛;李晓峰 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种促进泥炭藓假根生长的方法，该方法为向培养基中加入80nM～1μM浓度的NAA(α‑萘乙酸，1‑Naphthaleneacetic acid)对泥炭藓进行培养基法培养。对泥炭藓进行培养基法培养。本发明研究发现适合泥炭藓假根发育的最佳生长素NAA使用浓度，从而促进泥炭藓假根发育，进而达到使泥炭藓更好地适应生境的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 促进 泥炭 假根 生长 方法 | ||
【主权项】：
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