[发明专利]SiC晶锭的加工方法和激光加工装置在审
| 申请号： | 202011421013.8 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN113042915A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 平田和也 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B23K26/53 | 分类号： | B23K26/53;B23K26/06;B23K26/03;B23K26/064;B23K26/08;B24B7/16;B24B7/22;B24B27/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 沈娥;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供SiC晶锭的加工方法和激光加工装置，该SiC晶锭的加工方法能够在SiC晶锭中形成适当的剥离带。SiC晶锭的加工方法包括下述工序：电阻值测量工序，测量SiC晶锭的端面的电阻值；激光光线输出调整工序，与利用电阻值测量工序测量的电阻值相对应地调整激光光线的输出；以及剥离带形成工序，将具有对于SiC晶锭来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在与要生成的晶片的厚度对应的深度，一边对SiC晶锭照射激光光线一边使SiC晶锭和聚光点沿X轴方向相对地进行加工进给，在SiC晶锭的内部形成带状的剥离带。 | ||
| 搜索关键词： | sic 加工 方法 激光 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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