[发明专利]一种限域负载钌纳米团簇的氮化钨纳米多孔薄膜一体化电极及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202011424235.5 申请日: 2020-12-08
公开(公告)号: CN112680745B 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 范修军;刘静;张献明 申请(专利权)人: 山西大学
主分类号: C25B11/031 分类号: C25B11/031;C25B11/054;C25B11/081;C25B1/04;C25D11/26;B22F9/24;B22F1/00;C23C16/34
代理公司: 山西五维专利事务所(有限公司) 14105 代理人: 何翠霞
地址: 030006 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明涉及一种限域负载钌纳米团簇的氮化钨纳米多孔薄膜一体化电极及其制备方法和应用。本发明的制备方法为:先合成氧化钨纳米多孔薄膜,然后将其作为载体,通过水热法将钌纳米团簇限域负载在氧化钨纳米多孔孔道及镂空孔壁内,再通过化学气相沉积法一步合成限域负载钌纳米团簇的氮化钨纳米多孔薄膜一体化电极,且具有稳定的结构形貌。本发明以金属钨箔作为模板和钨源,在不额外加入钨盐的情况下,首次采用三步法(阳极氧化—水热限域负载—化学气相氮化)直接在钨箔上生长氮化钨,制备的限域负载钌纳米团簇的氮化钨纳米多孔薄膜一体化电极可作为酸性和碱性条件下的析氢催化剂电极,且具有高催化性能、长循环寿命、高容量和高循环稳定性的优势。
搜索关键词: 一种 负载 纳米 氮化 多孔 薄膜 一体化 电极 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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