[发明专利]铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 202011425317.1 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112540428B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 周赤;吉贵军;刘昆;张大鹏;王兴龙 | 申请（专利权）人： | 珠海光库科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02F1/035;C23C14/48 |
| 代理公司： | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人： | 薛飞飞;黄国豪 |
| 地址： | 519000 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法。制作方法包括在原料铌酸锂晶圆的光学级表面上制备光波导；在原料铌酸锂晶圆上具有光波导的一侧制备介质膜，介质膜填充在光波导之间的空隙内，光波导与介质膜形成光波导介质层；穿过光波导介质层朝向原料铌酸锂晶圆注入离子，在光波导介质层的下方形成离子层；将支撑晶圆与光波导介质层键合；加热至第一预设温度；加热至第二预设温度，使光波导介质层与原料铌酸锂晶圆分离并存留在支撑晶圆上，第二预设温度大于第一预设温度；对光波导介质层进行抛光处理。该制作方法制备出的光波导的侧壁垂直度很高且光洁度也很高。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸锂单晶 薄膜 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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