[发明专利]一种氮化镓增强型器件的制造方法有效
| 申请号： | 202011425598.0 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112542384B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 王祥骏;彭立仪;邱昭玮;邱显钦;敖金平 | 申请（专利权）人： | 宁波铼微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/20;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 王睿 |
| 地址： | 315000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种氮化镓增强型器件的制造方法，其采用干刻蚀和湿刻蚀结合的复合式刻蚀技术，对AlGaN/GaN屏蔽层表面的破坏性较低，且能够在刻蚀接近AlGaN/GaN屏蔽层时精准停止。该方法原理是在p‑GaN层下方设置AlN刻蚀停止层，然后配合复合式刻蚀进行p‑GaN层去除。由于AlN刻蚀停止层在氧化处理时，表层材料被氧化形成Al |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 增强 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
