[发明专利]一种用于MOCVD设备的硅基托盘及制备方法

摘要

本发明公开了一种用于MOCVD设备的硅基托盘及制备方法，其包括构成托盘基材的Si基体和Si基体表面的复合涂层，所述复合涂层包括热解炭过渡层、Si基体与热解炭过渡层之间界面处的SiC界面层、以及最外层的SiC涂层，所述SiC界面层由热解炭过渡层与Si基体在界面处发生反应形成。高温下热解炭层可与硅基体在界面处通过化学键、强结合作用形成致密的碳化硅界面层，进一步防护托盘基材，同时热解炭层可匹配基体与最外层的热膨胀系数差异。复合涂层中软质C层结构可有效缓解最外层SiC晶体的热膨胀，以降低涂层内的应力峰值。