[发明专利]形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构在审
| 申请号： | 202011428399.5 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112992667A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | G.A.弗尼;谢琦;H.朱西拉;C.德泽拉;金智妍;E.J.希罗;P.马 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/49;C23C16/455;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于将氮化钒层沉积到衬底的表面上的方法和系统以及使用所述方法形成的结构和装置。示范性方法包括使用循环沉积工艺，将氮化钒层沉积到所述衬底的表面上。所述循环沉积工艺可包括向反应室提供卤化钒前体，并且单独地向所述反应室提供氮反应物。所述循环沉积工艺可期望地是热循环沉积工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氮化 方法 包括 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
