[发明专利]金属互连结构、半导体器件及提高扩散阻挡层性能的方法有效
| 申请号： | 202011430362.6 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112652607B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张丹;罗军;许静;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属互连结构、半导体器件及提高扩散阻挡层性能的方法，该金属互连结构包括互连金属层、钝化层和扩散阻挡层，所述钝化层连接在所述互连金属层和所述扩散阻挡层之间；所述扩散阻挡层为Co基合金层；所述钝化层为利用等离子体(plasma)处理所述扩散阻挡层的表面形成。该金属互连结构通过将扩散阻挡层设置为Co基合金层，可以在减少扩散阻挡层电阻率的同时为互连线保留更多有效体积；而且利用特殊气体对Co基合金层进行等离子体处理，使得其表面形成钝化层，提高阻挡特性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 半导体器件 提高 扩散 阻挡 性能 方法 | ||
【主权项】：
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