[发明专利]三维存储器元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器元件及三维存储器元件的制造方法。此方法包含提供前驱结构，此前驱结构包含衬底、多层叠层、多个垂直通道柱及阻隔结构。第一狭缝及第二狭缝沿着第一方向形成于多层叠层及衬底中，其中第一狭缝及第二狭缝之间具有间距，且第二狭缝切割阻隔结构。以导电层取代第二绝缘层的一部分。第一狭缝结构及第二狭缝结构形成在第一狭缝及第二狭缝中，其中第一狭缝结构及第二狭缝结构在第二方向上分隔垂直通道柱，且第二方向不同于第一方向。