[发明专利]存储元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011432949.0 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114597212A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 王景弘;李士勤;郑宸语;韩宗廷 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张琛 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储元件及其制造方法，其中，该存储元件包括：衬底、叠层结构、多个接垫以及保护层。衬底具有阵列区与阶梯区。叠层结构配置在衬底上。叠层结构包括交替叠层的多个介电层与多个导体层。接垫配置在阶梯区的衬底上。接垫分别连接导体层，以形成阶梯结构。保护层配置在叠层结构上，以与最顶导体层接触。保护层的靠近最顶接垫处的顶面具有弧形轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
