[发明专利]碳化硅晶片粗抛用金刚石抛光液及制备方法在审
| 申请号： | 202011433027.1 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112480825A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 付存;付春淞;刘丹丹;王松娟;王泳;汪静 | 申请（专利权）人： | 河南联合精密材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 王红培 |
| 地址： | 450016 河南省郑州市郑州经济*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅晶片粗抛用金刚石抛光液及制备方法，包括以下重量百分比的组分：金刚石磨料0.1‑1%、油性剂3‑10%、分散剂0.1‑0.4%、改性脲溶液0.1‑0.5%、活化剂0.1‑0.5%、余量为基础溶剂。采用本发明中磨料两步处理法可有效提高多晶金刚石粉体利用率，同时有效的减少抛光液中超尺寸颗粒以及硬团聚体存在导致的划伤问题；本发明采用改性脲溶液作为有机悬浮剂，抛光液长期放置无明显分层现象，与无机悬浮剂，如疏水改性气相法白炭黑，有机膨润土相比，抛光废屑不易粘附在抛光盘上，易清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶片 粗抛用 金刚石 抛光 制备 方法 | ||
【主权项】：
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