[发明专利]一种用于高性能压控振荡器的片上键合线电感设计方法在审
申请号: | 202011433953.9 | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN112541314A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 常登辉 | 申请(专利权)人: | 成都博思微科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/36 | 分类号: | G06F30/36 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于高性能压控振荡器的片上键合线电感设计方法,所述片上键合线电感设计方法包括以下步骤:S1:根据工艺库文件,建立三种不同片上螺旋电感的物理模型,采用EDA软件对其进行S参数仿真;S2:根据仿真结果修调工艺参数,使S参数仿真与片上螺旋电感参数吻合;S3:建立片上键合线电感的物理模型,进行S参数仿真;S4:建立片上键合线电感的RLC集总参数模型;S5:通过EDA软件仿真,拟合片上键合线电感RLC集总参数模型里的元器件参数。本发明公开了片上键合线电感的设计方法,有利于缩短高性能压控振荡器的设计时间,提高压控振荡器性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 性能 压控振荡器 片上键合线 电感 设计 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都博思微科技有限公司,未经成都博思微科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011433953.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。