[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202011435091.3 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112582425A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王健舻;曾明;周文斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构包括衬底；在衬底中形成多个隔离结构；在衬底上形成第一堆叠结构；以及形成贯穿第一堆叠结构的多个第一沟槽和多个第二沟槽；其中，多个第一沟槽分别位于多个隔离结构上，多个第二沟槽底部暴露出衬底；在第一沟槽和第二沟槽中形成存储层和沟道层，其中，第二沟槽中的沟道层与衬底电连接，第一沟槽中的沟道层与衬底通过隔离结构电隔离；以及形成位线结构，第二沟槽内的沟道层与位线结构电连接且第一沟槽内的沟道层与位线结构电隔离。该制作方法提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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