[发明专利]全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路有效
| 申请号： | 202011435367.8 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114594824B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 叶韦廷;蔡建泓 | 申请（专利权）人： | 财团法人成大研究发展基金会;奇景光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张琳 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路，包含第一串接支路，用以产生偏压电流，其包含连接于第一连接节点且串接的第一电流源与二极管连接形式的第一N型电晶体；第二串接支路，其包含串接的第二电流源、二极管连接形式的第二N型电晶体及第三N型电晶体，其中第二N型电晶体设于第二电流源与第三N型电晶体之间，且第二N型电晶体与第三N型电晶体连接于第二连接节点；第三串接支路，其包含串接的第三电流源与二极管连接形式的第四N型电晶体，连接于输出节点以提供参考电压；及放大器，其非反向节点连接至第一连接节点，反向节点连接至第二连接节点。第三N型电晶体的临界电压大于第二N型电晶体的临界电压。 | ||
| 搜索关键词： | 全金属 氧化物 半导体 场效应 电晶体 电压 参考 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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