[发明专利]一种半导体衬底处理装置在审
| 申请号： | 202011435862.9 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114628270A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 朱宁炳;朴兴雨;李河圣;熊文娟;蒋浩杰;崔恒玮;李亭亭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种RTP的热处理系统及热处理方法，具体包括，提供热处理反应腔室；提供可控的辐射热源；提供支撑组件，用于支撑位于其上并与所述辐射热源相对的衬底，所述支撑组件可对所述衬底进行旋转；提供驱动部件，用于驱动所述衬底和/或所述辐射热源运动，从而使得所述衬底与所述辐射热源沿着与所述衬底平行的方向产生往复相对运动。本申请通过产生辐射热源组件与半导体衬底之间的往复相对运动，能够获得更均匀的RTP处理效果，并有效解决半导体衬底旋转所产生的半导体衬底表面的环形图案问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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