[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池有效

专利信息
申请号: 202011438661.4 申请日: 2020-12-07
公开(公告)号: CN112599636B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 杨楠楠;金井升;张彼克 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 314416 浙江省嘉兴市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于太阳能电池技术领域,提供了一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池。该制备方法包括:对N型晶体硅片清洗和制绒;在硅片正面进行硼扩散形成P型发射极和硼硅玻璃层,用酸溶液去除扩散至硅片背面的硼硅玻璃;在硅片背面制备隧穿氧化层,并依次沉积多晶硅层和磷硅玻璃层,用酸溶液或碱溶液去除扩散至硅片正面的多晶硅和磷硅玻璃;高温退火,将硅片背面的磷硅玻璃层中的磷掺杂到硅片背面的多晶硅层和硅片中;用酸溶液去除硅片背面的磷硅玻璃层和正面的硼硅玻璃层;在硅片的正面和背面分别沉积钝化膜层和制备金属电极。本发明的方法工艺流程合理、产能高,且制备得到的晶体硅电池无外观过刻现象,电池质量得到显著提高。
搜索关键词: 一种 晶体 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
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