[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，半导体器件的制作方法包括：提供第一晶圆，第一晶圆具有相对的第一表面和第二表面，所述第一晶圆包括多个第一器件区域以及多个第二器件区域，第一器件区域与第二器件区域间隔设置；在第一晶圆的第一表面对应第一器件区域的位置处刻蚀出凹槽；在凹槽的侧壁形成隔离层；在凹槽的底壁生长外延层；在每一第一器件区域以及第二器件区域上制备一个器件单元；从第二表面对所述第一晶圆进行减薄，使得隔离层从所述第二表面暴露，相邻的器件单元被所述隔离层完全隔离。通过上述方法避免相邻的器件单元之间信号串扰，进而提高器件的性能，并且能够将隔离层的厚度微缩，替代深沟槽工艺。