[发明专利]一种降低8英寸抛光片去边吸盘印缺陷率的工艺在审
| 申请号： | 202011441499.1 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112563183A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李凯鹏;江笠;王晖;孙晨光;王彦君 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人： | 段宇 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种降低8英寸抛光片去边吸盘印缺陷率的工艺，其实验工艺包括以下步骤：S1、首先将原有的自动去边机台管路进行实时改造，将原有的B线排液管路的出液端进行独立出来，使B线排液管路直接与二次配管路进行连接，并且使A线排液管路与汇合管路进行连接，使汇合管路的出液端与二次配管路进行连接；S2、然后将大小厚度合适的8寸直拉酸腐硅片，放置添加到自动去边机台的吸盘上载位，机台开启供给氢氟酸、去离子水，然后通过自动去边机对8寸直拉酸腐硅片进行边缘二氧化硅腐蚀加工，当边缘二氧化硅腐蚀加工完成后，先通过自动去边机台管路将纯水导出进行实时冲洗硅片表面的杂质，冲洗后取下8寸直拉酸腐硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 英寸 抛光 片去边 吸盘 缺陷 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
