[发明专利]基于钛掺杂的氧化铌选通管及其制备方法有效
| 申请号： | 202011442707.X | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112397648B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王浩;陈大磊;万厚钊;桃李;张军;汪汉斌;汪宝元;沈谅平;马国坤 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于钛掺杂的氧化铌选通管及其制备方法，该选通管包括：底电极；转换层，位于所述底电极一侧表面；顶电极，位于所述转换层远离所述底电极一侧表面；其中，所述转换层的材料为钛掺杂的氧化铌。未掺杂钛的氧化铌选通管相比于本发明，需要在选通管上外加‑5.15V的Forming电压，只有经过Forming过程选通管才能表现出阈值转变的性能。本发明的基于钛掺杂的氧化铌选通管，不需要Forming过程就可以直接表现出阈值转变的性能，具有Forming‑free的特性，可以极大地缓解外围电路的设计压力，并保护器件免受大电压的破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 掺杂 氧化 铌选通管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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