[发明专利]氧化镓晶体生长装置及生长方法在审
| 申请号： | 202011443881.6 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112680780A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 狄聚青;朱刘;刘运连;薛帅;唐俊杰 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种氧化镓晶体生长装置及生长方法，氧化镓晶体生长装置包括坩埚、坩埚托、炉体、温控装置和盖板。坩埚具有第一端和第二端，坩埚的第一端设置有用于盛装籽晶的籽晶腔，且籽晶腔封闭，坩埚的第二端通过盖板密封，盖板上开设有溢气孔；炉体设置有炉腔，坩埚位于炉腔内，且坩埚支撑于坩埚托上；炉腔由下至上依次设置有第一温区、第二温区和第三温区，温控装置设置于第一温区、第二温区和第三温区，用于加热第一温区、第二温区和第三温区并控制其温度；坩埚的籽晶腔设置于第一温区，坩埚的第二端设置于第三温区。氧化镓晶体生长装置及生长方法使得制备得到的氧化镓晶体无开裂、色心缺陷且单晶率高，从而晶体纯度高且成晶率高。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 晶体生长 装置 生长 方法 | ||
【主权项】：
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