[发明专利]用于硅晶体生长的硅原料及其制备方法、以及应用有效

专利信息
申请号: 202011444417.9 申请日: 2020-12-11
公开(公告)号: CN112609241B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 张华利;吴义华 申请(专利权)人: 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B11/00;C30B28/06;C01B33/02
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 孔令聪
地址: 221004 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种用于硅晶体生长的硅原料及其制备方法、以及应用。用于硅晶体生长的硅原料包括按照质量份数的如下组分:硅粉70份~99份;以及硅碎片1份~30份;硅粉的颗粒尺寸为0.1μm~1000μm;硅碎片的颗粒尺寸为1mm~100mm。本发明用于硅晶体生长的硅原料中,将硅原料压制成块状料的过程中,颗粒尺寸较大的硅碎片起到骨架和支撑作用,而颗粒尺寸较大的硅碎片和颗粒尺寸较小的硅粉混合,可以增加分子之间的相互作用力。整体能够增加块状硅原料的强度和韧性,使压缩后的硅原料不容易断裂或破碎,从而能够提高硅原料的堆积密度,从而提高生产效率,有利于应用。本发明还涉及一种用于硅晶体生长的硅原料的制备方法,以及上述硅原料在铸造多晶硅或者铸造单晶硅中的应用。
搜索关键词: 用于 晶体生长 原料 及其 制备 方法 以及 应用
【主权项】:
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