[发明专利]多层晶圆的制备方法在审
| 申请号： | 202011444742.5 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112599502A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 叶国梁 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/07;H01L23/48;H01L21/18 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种多层晶圆的制备方法。该方法包括提供依次键合的M片晶圆形成晶圆堆叠；从晶圆堆叠的第一表面朝向晶圆堆叠的第二表面对晶圆堆叠的边缘进行N次切边，以使晶圆堆叠的边缘形成N个台阶；其中，N次切边中第i次切边产生的切边宽度小于N次切边中第j次切边产生的切边宽度，且第i次切边产生的切边深度大于第j次切边产生的切边深度；N次切边中产生的最小切边宽度不小于一预设阈值，N次切边中产生的最大切边深度小于等于晶圆堆叠的厚度；在晶圆堆叠的边缘形成填充层，填充层至少填充晶圆堆叠的N个台阶；对晶圆堆叠的第二表面进行减薄；其中，M、N为大于1的自然数。该方法能够降低在减薄处理过程中晶圆堆叠发生破片问题的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 制备 方法 | ||
【主权项】：
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