[发明专利]晶圆键合设备在审
申请号: | 202011445273.9 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN114613693A | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 霍进迁;龚燕飞 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种晶圆键合设备,包括:吸附装置,设置于第一晶圆及第二晶圆下方,第二晶圆位于第一晶圆上方;吹气顶针,设置于第二晶圆上方,用于在不接触第二晶圆的位置朝第二晶圆的中部区域进行吹气,以使第一晶圆与第二晶圆在吹气产生的压力下进行键合。本发明可以完全解决键合过程中晶圆由于受力所产生的形变问题,提高键合精度和键合质量,实现真正意义上的晶圆之间金属互连技术。本发明可以和目前使用的混合键合机台很好的兼容性,具有很好的实际应用价值。 | ||
搜索关键词: | 晶圆键合 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新微技术研发中心有限公司,未经上海新微技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011445273.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于光域傅立叶逆变换的微波波形编译方法
- 下一篇:一种带袢钛板及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造