[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202011445350.0 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112490293B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 程亚杰 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底中形成有沟槽填充结构围成的有源区；LOCOS和位于所述LOCOS一侧的至少一个沟槽，形成于所述有源区的衬底中，所述LOCOS的顶面高于所述衬底的顶面，所述沟槽的底壁高于所述沟槽填充结构的底面；栅介质层，形成于所述沟槽的内壁以及所述沟槽外围的衬底上；以及，栅极层，形成于所述栅介质层上以及靠近所述沟槽的部分所述LOCOS上。本发明的技术方案使得能够在不降低击穿电压的同时，还能使得导通电阻降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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