[发明专利]一种ZnSe基底7.7-9.5μm波段高耐用性减反膜及制备方法在审
| 申请号： | 202011445875.4 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112505803A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李刚;董力;张友良;杨伟声;张红梅;吴栋才;耿曙;王宇彤 | 申请（专利权）人： | 云南北方驰宏光电有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/115 | 分类号： | G02B1/115;C23C14/58;C23C14/28;C23C14/18;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京东灵通专利代理事务所(普通合伙) 61242 | 代理人： | 王荣 |
| 地址： | 655000 *** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及红外镀膜技术领域，具体涉及一种ZnSe基底7.7‑9.5μm波段高耐用性减反膜及制备方法，其中ZnSe基底7.7‑9.5μm波段高耐用性减反膜，为设置在基层表面并与空气接触的膜层结构，并由依次叠层连接的ZnSe层、Ge层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、YbF3层、ZnS层构成。本发明的ZnSe基底7.7‑9.5μm波段高耐用性减反膜，用于为解决现有技术中，ZnSe材料基底7.7‑9.5μm波段减反膜光学性能不佳，抗盐溶液浸泡和抗摩擦能力不强，无法很好地满足新型光学仪器的使用要求的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 znse 基底 7.7 9.5 波段 耐用性 减反膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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