[发明专利]发光二极管衬底的剥离方法及发光二极管阵列有效
| 申请号： | 202011450285.0 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112582506B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 韦冬;李庆;于波;赵柯 | 申请（专利权）人： | 苏州芯聚半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01L33/48 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 常伟 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管衬底的剥离方法及发光二极管阵列，剥离方法包括：提供衬底，在所述衬底生长牺牲层，在所述牺牲层的表面生长发光二极管器件；提供辅助基板；涂布键合胶至所述辅助基板的周边或者所述衬底的周边；于氮气腔室中，键合所述衬底和所述辅助基板，使得所述衬底、所述辅助基板以及所述键合胶共同限定出的密闭空间内充满氮气；以及激光照射并穿过所述衬底，使所述牺牲层热解，所述衬底和所述发光二极管器件分离。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 衬底 剥离 方法 阵列 | ||
【主权项】：
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