[发明专利]一种多晶变温沉积扩散的方法及其应用有效
申请号: | 202011450544.X | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN112652678B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 聂文君;王菲;张伟;王路路;贾慧君;李文敏 | 申请(专利权)人: | 晋能清洁能源科技股份公司;晋能光伏技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/22 |
代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 赵徐平 |
地址: | 033000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种多晶变温沉积扩散的方法,在过量氧气的条件下,以液态三氯氧磷作为扩散磷源,采用背靠背扩散方式进行变温沉积扩散。本发明的多晶变温沉积扩散的方法,通过在工艺过程通入过量氧气,减少对硅有腐蚀作用的五氯化磷的产生,利用改善后扩散的变温沉积工艺,在保证不损失转换效率,不增加能耗前提下,沉积过程做完后,可直接做推进步,缩短升温时间,从而提高产能,降低度电成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 沉积 扩散 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晋能清洁能源科技股份公司;晋能光伏技术有限责任公司,未经晋能清洁能源科技股份公司;晋能光伏技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011450544.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的