[发明专利]一种多晶变温沉积扩散的方法及其应用有效
| 申请号： | 202011450544.X | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112652678B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 聂文君;王菲;张伟;王路路;贾慧君;李文敏 | 申请（专利权）人： | 晋能清洁能源科技股份公司;晋能光伏技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 赵徐平 |
| 地址： | 033000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶变温沉积扩散的方法，在过量氧气的条件下，以液态三氯氧磷作为扩散磷源，采用背靠背扩散方式进行变温沉积扩散。本发明的多晶变温沉积扩散的方法，通过在工艺过程通入过量氧气，减少对硅有腐蚀作用的五氯化磷的产生，利用改善后扩散的变温沉积工艺，在保证不损失转换效率，不增加能耗前提下，沉积过程做完后，可直接做推进步，缩短升温时间，从而提高产能，降低度电成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 沉积 扩散 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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