[发明专利]发光二极管及背光单元在审
| 申请号： | 202011451842.0 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN112582525A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 金恩柱 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L33/56;H01L33/50;H01L33/48;H01L33/46;H01L25/075;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人： | 李英艳;玉昌峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管及背光单元。根据本发明的实施例的发光二极管包括：电路基板；至少一个发光二极管芯片，布置在所述电路基板上；反射部件，覆盖所述发光二极管芯片的顶面；以及透光性树脂，形成为在所述电路基板上包围所述发光二极管芯片以及反射部件，所述发光二极管芯片包括：基板；发光构造体，布置在所述基板下方；透明电极层，布置在所述发光构造体底面；第一电极板，与所述发光构造体的第一导电型半导体层电连接；第二电极板，与所述发光构造体的第二导电型半导体层电连接；以及反射层，覆盖所述发光构造体下方的至少一部分，所述反射部件由分布式布拉格反射器(DBR，Distributed Bragg Reflector)、金属或它们的组合形成。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 背光 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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