[发明专利]一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法有效
| 申请号： | 202011452092.9 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112630615B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 彭程;詹雍凡;范迦羽;李学宝;赵志斌;崔翔;马慧远 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学;国网北京市电力公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王爱涛 |
| 地址： | 102206 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法，包括：压力夹具，施压装置，压力传感器，压力均衡装置，第一、第二环氧树脂板，压接型IGBT芯片，加热板，碟簧，叠层母排，母线电容，负载电感，续流二极管，直流电压源，驱动脉冲生成器，电流和电压测量装置；母线电容连直流电压源；叠层母排连直流电压源和续流二极管；续流二极管连压接型IGBT芯片；负载电感连续流二极管；驱动脉冲生成器连压接型IGBT芯片；压接型IGBT芯片连直流电压源；碟簧、第一环氧树脂板、加热板、压接型IGBT芯片、第二环氧树脂板、压力均衡装置、压力传感器、施压装置从下到上依次堆叠；压力夹具固定该叠层结构。本发明能测量压接型IGBT芯片在电‑热‑力综合影响下的动态特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接型 igbt 芯片 动态 特性 实验 平台 测量方法 | ||
【主权项】：
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