[发明专利]一种阵列式表面拉曼增强基底及其制备方法有效
| 申请号： | 202011452709.7 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112577943B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈秋兰;陈建;金浩宇;刘虔铖;杨慕紫;吕歆玥 | 申请（专利权）人： | 广东食品药品职业学院;中山大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京瑞盛铭杰知识产权代理事务所(普通合伙) 11617 | 代理人： | 徐长江 |
| 地址： | 510520 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及分子检测材料技术领域，具体涉及一种阵列式表面拉曼增强基底及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：取一范德华层状半导体基底，浸泡于盐溶液或酸溶液中，然后用Zn针碰触范德华层状半导体基底表面1‑5s，然后抬起Zn针，碰触点形成探测单元；然后移动至范德华层状半导体基底表面的另一位置，将Zn针碰触表面1‑5s；重复上述Zn针的碰触表面、抬起、移动位置的操作，形成若干个阵列排列的探测单元；最后取出范德华层状半导体基底、吹干，制得阵列式表面拉曼增强基底。本发明的制备方法操作简单，易于控制，通过探针离子插入方式可实现快速、定位活化，能在同一个基材表面实现不同位置的阵列制备，可适用于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 表面 增强 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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