[发明专利]压阻式压力芯片及制备方法在审
| 申请号： | 202011453275.2 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112880903A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 聂泳忠;李腾跃;吴桂珊 | 申请（专利权）人： | 西人马联合测控（泉州）科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/06 | 分类号： | G01L9/06;G01L19/14 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 362000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种压阻式压力芯片及制备方法，包括支撑部、感应层、压敏电阻组件和屏蔽层。支撑部具有通腔；感应层悬空于通腔且通过支撑部支撑；压敏电阻组件，设于感应层上且部分与通腔对应设置，压敏电阻组件用于根据感应层的形变产生电信号；屏蔽层设置于感应层上且沿感应层至支撑部方向至少部分覆盖压敏电阻组件。本发明实施例提供的压阻式压力芯片，屏蔽层能够屏蔽电磁信号对压敏电阻组件的干扰，保证压力芯片正常工作；另外，由于屏蔽层位于感应层的之上，利用金属导热的特性，屏蔽层能够增加压力芯片的散热效率，改善桥臂电阻电热效应引起的芯片性能热漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 压阻式 压力 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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