[发明专利]利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法有效
| 申请号： | 202011453729.6 | 申请日： | 2020-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN112725750B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李国强;黄改革;尉乔南 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C25B11/091;B01J23/22 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 蔡少华 |
| 地址： | 475004 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于真空镀膜技术领域，公开了一种利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法，包括以下步骤：a、安装靶材，b、预处理衬底材料，c、制备ITO中间层薄膜，d、制备外延单晶BVO薄膜。本发明通过改变制备薄膜时对靶材施加功率以及氧压的大小首次获得了BVO的外延单晶薄膜，制备方法简单，制备出的薄膜表面平整致密，可进一步用于制备覆盖面积大的外延单晶薄膜；该方法也为用化学计量比靶材通过磁控技术制备出与靶材元素比例相同的金属氧化物提供了可能。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 磁控溅射 技术 制备 bvo 外延 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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