[发明专利]一种用热板可控合成二维三氧化二锑分子晶体的制备方法在审

专利信息
申请号: 202011455226.2 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN112456553A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 张礼杰;潘宝俊;牛丽娟;豆振军;董幼青;邹超 申请(专利权)人: 温州大学新材料与产业技术研究院
主分类号: C01G30/00 分类号: C01G30/00;B82Y30/00
代理公司: 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 代理人: 徐佳慧
地址: 325000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种用热板可控合成二维三氧化二锑分子晶体的制备方法,该方法在大气环境下,把云母片置于用热板法加热的三氧化二锑粉末上方,通过控制反应时间的长短,得到不同厚度的三氧化二锑分子晶体,本发明的有益效果:使用空间限域的方法,为反应提供一个稳定的反应环境,云母片的表面温度与三氧化二锑的粉末温度存在一定的温度差,有利于三氧化二锑在光滑的云母片表面结晶,通过反应时间的控制,得到不同厚度的三氧化二锑分子晶体。
搜索关键词: 一种 用热板 可控 合成 二维 氧化 分子 晶体 制备 方法
【主权项】:
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