[发明专利]半导体功率模块双面平行度与整体厚度的控制方法在审
| 申请号： | 202011456026.9 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112670188A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 雷光寅;邹强;范志斌 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体功率模块技术领域，具体为一种半导体功率模块双面平行度与整体厚度的控制方法。本发明在传统半导体功率模块设计的基础上引入第二层连接材料，实现功率模块双面平行度与整体厚度的精确、有效的控制，具体包括：将第二层材料在注塑过程前附着在功率模块的上、下两面；在第二层连接材料外面再附着外层材料，用以保护模块的内部结构；合模、固化，功率模块所承受的压力逐渐增大，使“第二连接层”变形，达到控制模块平行度和整体厚度的目的。本发明可以简化功率模块的制造工艺、提升良率、降低系统的电磁干扰，进一步提升功率模块的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 模块 双面 平行 整体 厚度 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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