[发明专利]一种孔隙分布均匀的氮硫掺杂介孔碳电极材料的制法和应用有效
申请号: | 202011456224.5 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN112599362B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 夏新良 | 申请(专利权)人: | 邯郸市华源炭素有限公司 |
主分类号: | H01G11/34 | 分类号: | H01G11/34;H01G11/86;H01G11/24;H01G11/26 |
代理公司: | 广州天河万研知识产权代理事务所(普通合伙) 44418 | 代理人: | 陈轩;刘茂龙 |
地址: | 056799 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及超级电容器碳电极技术领域,且公开了一种孔隙分布均匀的氮硫掺杂介孔碳电极材料,以聚丙烯腈的氰基作为氮源,聚丙烯腈链端的接枝的巯基作为硫源,得到氮、硫共掺杂介孔碳,氮掺杂形成丰富的吡咯氮、吡啶氮和石墨氮,而吡咯氮和吡啶氮可以提供丰富的赝电容效应,从而提高介孔碳电极材料的实际比电容,而石墨氮可以提供碳基体的导电性能,加速电极反应中电荷的传输和迁移,而硫掺杂形成丰富的噻吩硫和氧化态硫结构,可以改善介孔碳基体的电化学活性位点和催化活性,使氮硫共掺杂介孔碳电极材料具有良好的双层电容、赝电容效应、表现出更高的实际比电容。 | ||
搜索关键词: | 一种 孔隙 分布 均匀 掺杂 介孔碳 电极 材料 制法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于邯郸市华源炭素有限公司,未经邯郸市华源炭素有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011456224.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种4芯信号连接器
- 下一篇:一种穿层钻孔定位煤岩层裂隙坐标的装置及方法