[发明专利]半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 202011456526.2 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114628262A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 赵长林;胡胜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法。所述半导体器件的制作方法包括：在第一晶圆的背面形成第一键合结构；在所述第一键合结构上形成保护层；对所述第一晶圆进行芯片切分；去除所述保护层；提供第二晶圆，所述第二晶圆的正面形成有第二键合结构；分离所述第一晶圆中的各芯片，并通过所述第一键合结构和所述第二键合结构，将各所述芯片的背面与所述第二晶圆的正面进行键合。本发明能够保证键合表面不被工艺污染的同时，避免键合表面氧化，有效提高键合效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
